اتصال امیتر مشترک

اتصال امیتر مشترک (CE) 

 همان‌طور که از نام برمی‌آید،  این ‌بار پایه‌ی امیتر بین دو سیگنال ورودی و خروجی ترانزیستور مشترک واقع می‌شود. آرایش مداری امیتر مشترک برای دو ترانزیستور NPN و PNP را در تصویر زیر ملاحظه می‌کنید.

مانند آرایش بیس‌مشترک، در اینجا هم پیوند امیتر در بایاس مستقیم و پیوند کلکتور در بایاس معکوس هستند. جریان الکترون ها هم درست مشابه حالت بیس‌مشترک کنترل می‌شود. جریان ورودی این آرایش، جریان بیس(I_B) است و جریان خروجی آن جریان کلکتور( I_C ).

ضریب تقویت I_{B یا بتا B}

نسبت تغییرات جریان کلکتور یعنی ∆I_C ، به تغییرات جریان بیس یعنی ∆I_B را ضریب تقویت جریان بیس می‌گوییم.

رابطه بین α و β

میخواهیم ببینیم بین این دو ضریب چه رابطه‌ای وجود دارد؛

پس می‌توانیم بنویسم:

و داریم :

از رابطه‌ی بالا مشخص است که اگر α به سمت 1 برود، β به سمت بینهایت خواهد رفت.

بنابراین بهره‌ی جریان در آرایش امیتر مشترک بسیار اهمیت دارد و به همین دلیل است که در بیشتر مدارهایی که ترانزیستور در آن‌ها کاربرد دارد، از این آرایش استفاده می‌شود.

محاسبه جریان کلکتور

گفتیم که در آرایش امیترمشترک، I_B ورودی است و I_C خروجی. پس خواهیم داشت:

اگر پایه‌ی بیس مدار باز باشد، آنگاه I_B = 0 و جریان کلکتور- امیتر در حالی که بیس مدار باز باشد را I_CEO می‌نامیم.

با وارد کردن این عبارت در معادله‌ی قبلی :

به این ترتیب عبارتی برای محاسبه‌ی جریان کلکتور بدست آورده‌ایم.

 

ولتاژ زانویی 

ولتاژ هدایت یا ولتاژ آستانه ، همانطور که از دیود ها خاطراتان است دیود های سیلیکونی برای هدایت به یک ولتاژ 0.7 ولت بطور تقریبی نیاز داشتن ، در ترانزیستور ها هم  چنین ولتاژی وجود دارد که به ولتاژ زانویی معروف است. با کمی تامل در عکس زیر میتوانید مفهوم این ولتاژ را دریابید.

ویژگی‌های اتصال امیتر مشترک

• این آرایش بهره‌ی ولتاژ و جریان خیلی خوبی ایجاد می‌کند.
• اگر V_CE را ثابت نگه داریم، با تغییر کوچکی در V_BE، جریان I_B با سرعت بیشتری نسبت به آرایش بیس مشترک، تغییر خواهد کرد.
• برای هر مقداری از ولتاژ V_CE که بالاتر از ولتاژ زانویی باشد، I_C تقریبا برابر با β*I_B است.
• مقاومت ورودی یا ri، نسبت تغییرات ولتاژ بیس-امیتر، به تغییرات جریان بیس است، در حالی که ولتاژ v_ce ثابت باشد.

• از آن‌جا که مقدار مقاومت ورودی بسیار کم است، مقدار اندکی V_BE برای ایجاد یک I_B بزرگ کافی است.
• مقاومت خروجی نسبت تغییر ولتاژ V_CE  به تغییر جریان کلکتور، در I_B ثابت است.

• مقدار مقاومت خروجی آرایش امیترمشترک، از مقاومت خروجی آرایش بیس مشترک کمتر است.
• این آرایش عمدتا در مدارهای مورد استفاده برای پایدارسازی مدار بایاس و یا کاربردهای مربوط به فرکانس صوتی ، استفاده می‌شود.

پایان این جلسه ، امیدوارم که از این جلسه مطالب مفیدی را یاد گرفته باشید ، ادامه نوشته ها را اینجا دنبال کنید.

اگر این نوشته‌ برایتان مفید بود لطفا کامنت بنویسید.

مطالعه دیگر جلسات این آموزش

<< جلسه قبلی                    جلسه بعدی >>